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"耗尽层" 英文对照

depletion layer;exhaustion layer;
"耗尽层" 在学术文献中的解释

1、的电子占多数的N型硅或带正电的空穴占优势的P型硅两种形式如果两种形式的硅组合在一起N侧的电子和P侧的空穴向相反方向扩散结果载流子(带正电的空穴或带负电的电子)浓度在PN结的附近大大减少(这个区域称为耗尽层
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2、由于电子、空穴的扩散作用,在P一N结接触面两侧形成空间电荷区(称为耗尽层),形成一个势垒,阻碍电子和空穴扩散.当给P一N结施加正向电压时P一N结势垒区高度降低,耗尽层减薄,能量较大的电子和空穴分别注人到P区或N区,同P区的空穴和N区的电子复合,同时以光的形式辐射出多余的能量
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"耗尽层" 相关的学术图片

图2背接触处存在耗尽层时外电场作用下的能级结构示意图
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研究 "耗尽层" 相关问题的主要学者

陈铮何进周青春陈志雄庄宝煌张波黄美纯王新章天金
李开航
出版 "耗尽层" 相关文献的期刊

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